DDR4 RDIMM
![](/upload/iblock/115/115c82bb79d5b5f3c5507cc7b8913f81.jpg)
Модули станут новым этапом в развитии технологий памяти. Ранее компания первой начала производство флэш памяти 3D Vertical NAND, в ней использованы высокие вертикальные структуры массивов ячеек, расположенных в массивном кристалле. Новая технология позволит соединить вертикальные слои кристаллов. Для того чтобы создать такие пакеты кристаллы стачивают до минимальной толщины, в них создают множество очень мелких отверстий при помощи электродов, они соединяются друг с другом. Благодаря этому производительность модулей возрастает в два раза, в сравнении с предыдущими, в которых применяется проводной монтаж, также для их работы нужно вдвое меньше энергии.В компании рассчитывают, что уже скоро можно будет соединять между собой больше 4 кристаллов, то есть, модули станут плотнее, ассортимент решений памяти будет расширен, а на рынке серверов можно будет перейти на память DDR4. Samsung работает над технологией 3D TSV уже 4 года. Уже в конце года, объем мирового рынка DRAM составит около $39000000000, всего этих серверов будет около 30000000000. Примерно 20% этих модулей придется на серверный рынок.